微創科技的HBM4E預示著AI GPU及其他用途的客製化記憶體新時代
本週，微創科技（Micron）提供了其HBM4和HBM4E計劃的最新進展。下一代的HBM4記憶體擁有2048位的介面，預計將於2026年開始大規模生產，而HBM4E則會在隨後的幾年推出。除了提供比HBM4更高的數據傳輸速率外，HBM4E還將引入客製化基底晶片的選項，這將為行業帶來根本性的變革。
毫無疑問，HBM4以其2048位的記憶體介面令人印象深刻。然而，HBM4E將更具吸引力，因為它使微創能為特定客戶提供客製化的基底晶片，從而提供更優化的解決方案，並可能增加額外功能。這些客製化邏輯晶片將由台積電（TSMC）使用先進的製程技術製造，能夠容納更多的快取和邏輯電路，以提升性能和功能。
微創科技總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E將通過為某些客戶提供客製化邏輯基底晶片的選項，利用TSMC的先進邏輯製造工藝，為記憶體行業帶來根本性的變革。我們預計這一客製化能力將推動微創的財務表現改善。”
目前，我們只能猜測微創如何計劃客製化其HBM4E基底邏輯晶片。可能的選項長得令人驚訝，包括增強的快取、針對特定應用（如AI、高效能計算及網絡等）的自定義介面協議、記憶體間傳輸能力、可變介面寬度、先進的電壓調整及功耗管理，以及客製化的ECC和/或安全算法。需注意的是，這些仍屬於推測，目前尚不清楚是否有實際的JEDEC標準支持這類客製化。
微創表示，HBM4E產品的開發工作正在與多家客戶進行中，因此我們可以期待不同客戶將採用不同配置的基底晶片。這標誌著定制記憶體解決方案朝向需求龐大的AI、高效能計算、網絡及其他應用邁進。HBM4E的客製化解決方案如何與Marvell本月初推出的客製化HBM（cHBM4）方案相比，尚待觀察。
微創的HBM4將使用該公司在其成熟的1β（第5代10納米級製程技術）上製造的DRAM，並放置於一個擁有2048位寬介面的基底晶片上，數據傳輸速率約為6.4 GT/s，這將為每堆疊提供理論峰值帶寬達1.64 TB/s。微創計劃在2026年大規模提升HBM4的生產，這與Nvidia的Vera Rubin及AMD的Instinct MI400系列GPU在AI及高效能計算應用的推出時期相吻合。有趣的是，三星和SK海力士據說將會使用第6代10納米級製造技術來生產其HBM4產品。
微創本週還透露，其為Nvidia的Blackwell處理器提供的8-Hi HBM3E設備的出貨已經全面開展。該公司的12-Hi HBM3E堆疊正在其主要客戶那裡進行測試，據報導，客戶對結果表示滿意。
微創的HBM3E 12-Hi堆疊被預期將用於AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列計算GPU，適用於AI和高效能計算工作負載。
這一進展顯示出記憶體技術的快速演變，尤其是在AI和高效能計算需求日益增加的背景下。微創的客製化計劃不僅能滿足市場需求，還可能重新定義記憶體設計的標準。隨著行業競爭的加劇，未來的記憶體解決方案將更加多樣化和專業化，這將為各類應用開創更多可能性。
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