三星計劃推出創紀錄的400層NAND晶片 或可突破200TB容量限制
根據報導，三星正在努力於2026年前推出創紀錄的400層垂直NAND閃存晶片。韓國經濟日報指出，三星的設備解決方案（DS）部門旨在利用其尖端的V10 NAND技術推動NAND閃存市場，以應對人工智能數據中心日益增長的需求。
該公司的記憶體路線圖顯示，計劃推出先進的第十代NAND，這種技術將利用鍵合技術（bonding technology）將記憶單元和周邊電路分別構建在不同的晶圓上，然後將它們融合成一個單一的晶片。這種被稱為鍵合垂直NAND閃存（BV NAND）的新方法可最小化熱量積聚，並最大化容量和性能，三星形容這是「AI的夢想NAND」。
2030年前將達到1,000層
BV NAND設計每單位面積的比特密度提升1.6倍，支持超高容量的固態硬碟（SSD），非常適合AI應用。三星目前的286層V9 NAND晶片已經達到重要的里程碑，而400層的V10預計將重新定義容量限制，有望突破超大型AI超級計算機SSD的200TB儲存閾值，同時提高能效。
未來，全球最大的記憶體晶片製造商計劃在2027年推出第11代V11 NAND，數據傳輸速度將提高50%，進一步優化高需求的數據儲存需求。根據報導，三星的NAND路線圖甚至更具雄心，計劃在2030年前推出超過1,000層的晶片。這一進展旨在使三星在高容量NAND市場保持領先地位，因為AI應用需要廣泛的儲存解決方案來處理龐大的數據量。
在DRAM領域，三星計劃在2024年底之前推出第六代1c DRAM和第七代1d DRAM，以應用於高性能的AI晶片。根據韓國經濟日報的報導，該公司還計劃在2027年前推出小於10納米的0a DRAM，利用垂直通道晶體管結構來提高穩定性和效率。
評論
三星在記憶體技術上的持續創新，顯示出其在人工智能驅動的市場中，如何快速適應和滿足日益增長的需求。400層的NAND晶片不僅是技術的突破，更是對市場需求的直接回應。隨著AI技術的進步，對數據存儲的需求也會急劇上升，這使得三星的計劃顯得尤為重要。
然而，隨著競爭對手也在加速技術研發，三星需在技術創新和市場策略上保持領先。未來的發展不僅依賴於技術本身，還需要對市場動態的敏銳反應和靈活調整，才能在這個快速變化的行業中立於不敗之地。這不僅是對三星的挑戰，更是對整個半導體行業的一次機遇，推動著更高效能的存儲解決方案的誕生。
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