嵌入式非揮發性記憶體市場2032年達百億美元

嵌入式非易失性記憶體市場預計到2032年將達到105.1億美元，年均增長率為11.61% | SNS Insider

嵌入式非易失性記憶體市場受科技進步驅動，並在汽車、物聯網及電信等行業中持續增長。

2025年3月5日 09:30 ET | 來源：SNS Insider 私人有限公司

奧斯丁，2025年3月5日（GLOBE NEWSWIRE）——嵌入式非易失性記憶體市場規模及增長洞察：

根據SNS Insider的報告，「嵌入式非易失性記憶體市場在2023年的價值為39.2億美元，預計到2032年將增長至105.1億美元，預測期內的年均增長率為11.61%。」

科技採用的快速增長推動嵌入式非易失性記憶體市場

科技的快速採用主要得益於ReRAM、MRAM及其他新型記憶體技術的進步，這些技術提供了高速和低功耗的解決方案。供應鏈和製造的發展，例如更小的晶圓尺寸和複雜的製造過程，正在提高可擴展性並降低成本。功耗仍然是重要考量，特別是在物聯網和可穿戴產品中，這些產品需要小型且低功耗的記憶體。此外，對於定制化和設計靈活性的需求，促使供應商設計特定應用的嵌入式非易失性記憶體（eNVM）架構，特別是在汽車電子、工業自動化和電信等行業，以優化性能和整合。

主要市場參與者及其產品

本報告中列出的主要市場參與者包括：

– Spansion（MirrorBit NOR GL，HyperFlash記憶體）
– Weebit Nano（ReRAM技術，嵌入式ReRAM模組）
– Macronix（OctaBus Flash記憶體，ArmorFlash）
– Virtium（StorFly SSD，TuffDrive eUSB 3.0模組）
– Phison（PS5018-E18 PCIe 4.0 NVMe控制器，E26 SSD控制器）
– Micron Technology（Authentic Flash，Xccela Flash）
– Cypress Semiconductor（Semper NOR Flash，HyperFlash NOR記憶體）
– Winbond Electronics（SpiFlash NOR Flash，TrustME Secure Flash）
– Adesto Technologies（DataFlash，EcoXiP）
– NXP Semiconductors（FlexSPI NOR Flash，i.MX RT交叉處理器）
– Renesas Electronics（RL78系列帶代碼Flash，RX系列帶嵌入式Flash）
– Infineon Technologies（嵌入式Flash（eFlash），SEMPER Secure NOR Flash）
– Samsung Electronics（eMRAM，eFlash）
– Intel Corporation（StrataFlash記憶體，嵌入式NOR Flash）
– Toshiba Memory Corporation（BENAND，串行介面NAND）。

嵌入式非易失性記憶體市場報告範圍

報告屬性 | 詳情
—|—
2023年市場規模 | 39.2億美元
2032年市場規模 | 105.1億美元
年均增長率 | 2024至2032年期間的11.61%
報告範圍及涵蓋 | 市場規模、細分分析、競爭格局、區域分析、DROC及SWOT分析、預測展望
主要細分 | • 按產品（eFlash，eE2PROM，FRAM，其他）
• 按晶圓尺寸（100 mm）
• 按應用（BFSI，消費電子，政府，電信，信息技術，其他）
主要驅動因素 | • 對高性能節能設備的需求上升推動嵌入式非易失性記憶體市場增長。
• 科技進步及物聯網擴展為嵌入式非易失性記憶體市場開啟增長機會。

主要行業細分分析

按產品，eFlash在2023年主導嵌入式非易失性記憶體市場，eE2PROM則預計增長最快。

在2023年，eFlash在嵌入式非易失性記憶體（eNVM）市場中佔有最大份額，達到38.6%，這得益於其高速、可靠性及在汽車和消費電子應用中的普遍性。其能夠支持先進的駕駛輔助系統（ADAS）和物聯網設備，進一步鞏固了其領導地位，使其成為eNVM市場中的重要角色。

eE2PROM細分市場預計在2024至2032年間將以最快的年均增長率增長，這是由於可穿戴設備和智能家居設備中小型及低功耗記憶體設備的廣泛採用。其高效率和低功耗使其成為新一代物聯網的首選，成為嵌入式非易失性記憶體市場的主要增長驅動力。

按晶圓尺寸，>100 mm的晶圓在嵌入式非易失性記憶體市場中佔主導地位，100 mm的晶圓在嵌入式非易失性記憶體行業中佔有56.5%的市場份額。其優勢在於其大容量存儲和在複雜半導體應用中的有效性。較大的晶圓多用於汽車電子和高性能計算中，能夠容納複雜的集成電路，以支持先進技術。

<100 mm的晶圓預計在2024至2032年間將以最快的年均增長率增長。可穿戴技術和多傳感器集成物聯網設備的微型化趨勢，推動了對緊湊型、低功耗元件的需求，這促進了其市場增長。

按應用，BFSI行業在2023年主導嵌入式非易失性記憶體市場，電信行業則預計增長最快。

在2023年，BFSI行業佔據嵌入式非易失性記憶體（eNVM）市場最高的24.8%市場份額，這得益於數字交易和銀行中對安全數據存儲和高速處理的需求上升，這對於支付網關應用、身份驗證系統及金融分析應用中的可靠記憶體組件需求至關重要。

電信行業預計在2024至2032年間將以最快的年均增長率增長，這是由於5G網絡的推廣和對高速數據傳輸通信設備的需求上升。隨著對改善和高性能連接的需求增加，對於強大且高容量的eNVM解決方案的需求也在電信行業中不斷增長，以支持數據處理和促進無縫通信。

亞太地區在2023年主導嵌入式非易失性記憶體市場，北美則預計將快速增長

在2023年，亞太地區主導了嵌入式非易失性記憶體（eNVM）市場，佔有35.3%的市場份額，這得益於半導體製造商的高密度以及消費電子和汽車需求的增長。中國、南韓和日本等國家，擁有三星電子、台積電和索尼等主要企業，領先於在智能手機、智能家電和汽車電子中採用尖端的eNVM解決方案，進一步促進市場增長。

北美預計在2024至2032年間將以最快的年均增長率增長，這得益於5G、人工智能和自動駕駛汽車的創新。當地的頂尖企業如英特爾、微創科技和IBM正在開發高性能計算和汽車的eNVM解決方案。英特爾未來處理器中使用eNVM以及微創在數據中心記憶體技術上的創新，將進一步推動北美的增長，這是由於智能基礎設施和連接設備的驅動。

評論與觀察

隨著嵌入式非易失性記憶體市場的快速增長，這不僅是科技進步的體現，更是各行各業對高效能和低功耗解決方案需求的直接反映。特別是在汽車電子和物聯網領域，這些技術的應用將會改變我們的生活方式和工作模式。未來，隨著5G和人工智能的進一步發展，嵌入式非易失性記憶體的需求將會持續上升，這對於市場參與者來說既是挑戰也是機遇。企業必須不斷創新，以滿足市場對高性能和高可靠性記憶體的需求，並在競爭中保持優勢。

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