中國晶片製造商在與英偉達、台積電的競爭中加速發展
北京大量補貼半導體產業，以推動自主研發。
中國在晶片設計和記憶體儲存方面取得了進展，但在設備製造方面仍落後。
中國企業在運算能力方面仍然落後於台積電和英偉達。
華盛頓最近對英偉達H20晶片的出口限制可能會加速中國轉向國內替代方案的發展，因為本土企業正努力縮小與全球競爭者的差距。
多年來對美國晶片的管制推動中國政府在國內半導體供應鏈上投入數十億美元，這是人工智慧發展的關鍵。
「中國的進展因晶片相關管制而放緩，但很難想像可以永遠阻止他們的情況」，位於華盛頓特區的半導體分析師Ray Wang告訴Rest of World。
中國在某些領域取得了更大的進展——例如記憶體晶片和設計——而在設備製造方面則陷入困境，他說。
英偉達CEO黃仁勳在美國宣布對中國銷售的最先進AI晶片實施新限制後不久，突然訪問了北京。黃仁勳告訴官員，他希望「繼續與中國合作」。
以下是五家主要的中國半導體公司與全球領導者的比較：
1. 晶片設計
### 海思 vs. 英偉達
海思，華為的晶片設計部門，生產昇騰晶片系列，這是中國最先進和最廣泛使用的晶片之一。最近的進展幫助海思滿足了國內對高性能晶片的需求，並為一系列增強AI的智能手機提供動力。
在運算能力方面，華為去年聲稱其910B AI晶片在某些測試中擊敗了英偉達的A100晶片——後者受到美國的限制。來自華盛頓特區戰略與國際問題研究中心的分析稱它們「大致相當」，同時指出多家美國晶片公司生產的晶片超過任何華為昇騰晶片。
2. 晶片生產
### 中芯國際 vs. 台積電
中國最大的晶片代工廠中芯國際為設計公司生產晶片。美國規則禁止中國公司購買小於14納米的晶片，其較小的節點使其更高效。
中芯國際能夠生產7納米晶片，根據加拿大研究公司TechInsight的分析。報導稱中芯國際和華為即將生產5納米下一代晶片。
與此同時，全球領導者台積電最近宣布，其2納米晶片將於今年晚些時候投入量產。
中芯國際在生產力方面明顯落後於台積電，因為前者的機器針對舊晶片進行校準。中芯國際似乎能夠生產5納米先進晶片，但成本更高，一名前台積電高管表示。
3. 快閃記憶體
### 長江存儲 vs. 三星
長江存儲是中國3D NAND快閃記憶體晶片的領導者，可以在沒有持續電源的情況下儲存數據。
三星是世界上最大的快閃記憶體晶片製造商，擁有流行的286層V9 NAND晶片——層數越多，儲存容量越高。它還開發了一款新的400層晶片，而競爭對手SK Hynix（也來自韓國）正在生產一款321層產品。
長江存儲生產了一款294層NAND，是其232層產品的升級版，TechInsights分析發現。
4. 光刻技術
### 上海微電子設備 vs. ASML
上海微電子設備是中國唯一的微影設備製造商。微影技術是中國供應鏈中最大的瓶頸之一，根據華盛頓特區戰略與國際問題研究中心的報告。該技術使用波長光在矽晶圓上列印電路圖案，使晶片尺寸更小但更強大。
荷蘭公司ASML是世界上唯一生產極紫外線（EUV）機器的公司，這是生產小於7納米的先進晶片所必需的。華盛頓自2019年以來一直阻止ASML向中國運輸貨物。
中國在開發光刻系統方面的進展尚不清楚。上海微電子設備銷售可以生產90納米晶片的機器，並據報正在開發具有28納米能力的機器。但上海微電子設備目前的產量仍然比ASML落後15至20年，中國投資公司報告稱。
5. 晶片蝕刻
### 先進微製版設備 vs. 拉姆研究
先進微製版設備生產晶片製造設備，並在蝕刻領域領先——這是一個去除不想要的材料以在晶片晶圓上雕刻圖案的過程。
美國的拉姆研究公司，由台積電、英特爾和三星使用，在蝕刻設備製造方面領先全球銷售。
先進微製版設備的大部分工具都是本地採購的，其首席執行官Gerald Yin去年預測，中國可以在未來5至10年內趕上行業領先者。
作為編輯，我對這篇文章的內容有以下想法：
中國在半導體產業的發展中取得了顯著進展，尤其是在晶片設計和記憶體儲存方面。然而，中國企業在運算能力和設備製造方面仍然落後於全球領導者台積電和英偉達。美國對中國晶片出口的限制可能會加速中國轉向國內替代方案的發展，但也可能進一步加劇中國企業與全球領導者之間的差距。
中國政府對半導體產業的大量補貼是推動自主研發的重要因素。然而，中國企業需要繼續投資研發和技術創新，以縮小與全球領導者的差距。同時，中國政府也需要繼續優化產業政策和投資環境，以吸引更多的國內外投資和人才。
總的來說，中國在半導體產業的發展中面臨著機遇和挑戰。中國企業需要繼續努力創新和突破技術瓶頸，以實現自主研發和產業升級。同時，中國政府也需要繼續優化產業政策和投資環境，以推動半導體產業的可持續發展。
